- 조합논리 장치의 출력은 장치 입력의 함수임(게이트를 사용한 논리 설계)
- 그러나 기억을 하기 위해서는 입력의 현재상태만을 다루는 조합논리만으로는 불충분하기에 순차 논리가 나옴
시간 표현과 상태기억
- 비트를 하나 기억할 때 플립플롭이 유용하고, 레지스터를 사용하면 쉽게 여러 비트를 저장할 수 있음
- 여러가지 정보를 저장하기 위해서는 레지스터를 많이 쌓아 두는 것 부터 시작 ⇒ 레지스터를 많이 쌓아두면 어떤 레지스터를 사용해야하는지에 대해 지정해야 하는데 이때 주소가 필요함
- 위의 그림에서 주소와 데이터 사이에 큰 화살표를 사용한 것을 버스 라고 부름. 메모리 칩에는 주소 버스 와 데이터 버스가 있음. 버스는 비트를 이동시키는 대량 교통 수단
임의 접근 메모리(random access memory - RAM)
- RAM을 사용하면 메모리 위치 중 원하는 곳은 어디든 원하는 순서로 쓰거나 읽을 수 있음 → 그래서 빠름
- SRAM, DRAM은 모두 휘발성 메모리임(전원 꺼지면 데이터 사라짐). 코어 메모리는 비휘발성 RAM
블록 장치
- 메모리를 읽거나 쓰려면 시간이 걸리는데, 필요할때마다 가서 찾아오는 것보다 한번에 다 가지고 오는 것이 편할것임. 큰 메모리 장치는 이런 원리를 사용함 - ex) 디스크 드라이브
디스크 드라이브 - 느린 대신, 기록 밀도가 높음
- 디스크 드라이브는 다른 유형의 메모리에 비해 상대적으로 느린데, 그 이유는 방금 헤드를 지나간 데이터가 필요한 경우 그 데이터를 읽을 수 있으려면 회전판이 1바퀴 돌때까지 기다려야 하기 때문임. 그러나 DRAM 등과 달리, 주소나 데이터 연결을 위한 공간이 필요 없음
- 회전판과 비슷한 자화된 판에 비트를 저장하고 디스크 헤드가 특정 지점을 가리키는 용도로 사용됨
- 디스크는 바이트 단위로 주소를 지정해 읽지 않고 블록(섹터) 단위로 주소를 지정해 읽음. → 한 바이트만 바꾸고 싶으면 전체 블록을 읽고 원하는 바이트를 바꾼 다음 전체 블록을 다시 써야함
플래시 메모리와 SSD
플래쉬 메모리
- 읽을 때는 임의 접근(random access)장치이고 쓸 때는 블록 접근 장치임 → 쓸때는 시간이 걸리지만 읽을 때 빠름
SSD(고체 상태 드라이브)
- 디스크 드라이브 모양의 패키지에 넣은 플래시 메모리